行业知识-快速退火炉_液氮低温恒温器_薄膜热电参数测试仪_霍尔效应测试系统_物性测量系统

08-06 2025 

微机电系统（Micro-Electro-Mechanical Systems，简称MEMS）是通过先进的微纳加工技术（包括光刻、刻蚀、薄膜沉积等工艺）制造的集成化微型系统。这类系统将机械结构、传感器、执行器与电子电路等功能模块高度集成于微米···

07-31 2025 

光致发光光谱（PhotoluminescenceSpectroscopy,PL谱）是研究材料光学性质的重要手段之一。材料的发光特性往往与温度密切相关，因此，在变温条件下测试PL谱，能够更深入地理解材料的光物理机制，为优化材料性能提供关键依据···

07-23 2025 

碳化硅（SiC）作为第三代半导体材料的代表，凭借其高击穿场强、优异的热导率和耐高温性能，已成为功率电子、光电器件等领域的“明星材料”。氧化铝锌氧化物（AlZnO）薄膜的镀层技术提供了一个提升SiC器件性能的新思路！AlZnO镀层：SiC性能···

07-17 2025 

一、晶圆退火工艺基本概念定义‌：退火工艺，又称热退火（Thermal Annealing），是将晶圆放置在较高温度环境中一定的时间，以改变其微观结构，达到特定工艺目的的过程。关键参数‌：温度和时间是退火工艺中的两个关键参数，温度越高、时间越···

07-10 2025 

氧化镓（Ga₂O₃）作为新兴的宽带隙半导体材料，凭借其超高的击穿电场强度、优异的耐高温性能以及出色的紫外光响应特性，正成为高功率电子器件、深紫外光电器件等领域的研发热点。精准测试其电学特性（如载流子浓度、迁移率、电阻率等），也是材料研究与器···

07-04 2025 

氮化镓（GaN）是一种性能优异的宽禁带半导体材料，因其高电子迁移率、高击穿电压和良好的高温稳定性，被广泛应用于LED、电力电子、射频通信和生物传感器等领域。为了深入研究和优化GaN材料的电学性能，霍尔效应测试仪HET成为不可或缺的工具。&n···

06-24 2025 

首先说结论，RTP（Rapid Thermal Processing）是所有快速热处理的统称！但不限于：RTA（快速热退火）、RTO（快速热氧化）、 RTN（快速热氮化）、合金化... ...RTP与RTA、RTO、RTN之间的联系RTP设···

06-19 2025 

在集成电路制造过程中，氧化工艺是形成高质量二氧化硅（SiO₂）薄膜的关键步骤。随着技术的不断发展，对氧化层的均匀性、致密度和表面质量的要求日益提高。快速退火炉（RTP）作为一种高效的快速热处理技术，在集成电路制造氧化工艺中发挥着重要作用。&···

06-12 2025 

磁性材料或易受磁场影响的材料或器件，需要处于零磁场中测试。嘉仪通冷热台可利用磁屏蔽材料实现无磁场干扰下，进行不同温度的电性能测试。磁场屏蔽方案介绍零磁场环境：真空腔体喷涂地磁屏蔽涂料或者使用坡莫合金，实现零磁场屏蔽环境；低温变温···

05-28 2025 

在MOCVD工艺中，外延薄膜的生长速率与温度存在高度非线性关系，且温度波动会直接影响薄膜的均匀性和结晶质量。根据温度的变化可以将外延薄膜生长行为大致分成三个区：动力学控制区、质量传输控制区、热力学控制区： ···