行业资讯-快速退火炉_液氮低温恒温器_薄膜热电参数测试仪_霍尔效应测试系统_物性测量系统

04-28 2026 

摘要随着第三代半导体材料氮化镓（GaN）在高频、高功率、光电子及传感器等领域的广泛应用，器件性能的优化对热处理工艺提出了更高要求。快速退火炉以其快速升降温、精准控温、良好温场均匀性及气氛可控等优势，成为GaN器件制造中不可或缺的关键设备。&···

04-16 2026 

近日，武汉理工大学材料与微电子学院赵锐哲老师应邀到访嘉仪通科技，为公司员工带来一场题为《新型存储器及存算一体技术》的专题培训，并在会后带领其团队学生参观了公司生产研发基地。本次活动进一步深化了校企之间的技术交流与合作。前沿技术培训：聚焦存储···

04-10 2026 

摘要：快速退火炉（RTP）通过快速升降温、精准控温、均匀温场及气氛控制等核心技术，有效解决了铁电、压电、介电、热释电等先进功能材料在制备与器件加工过程中的一系列关键工艺问题。能够促进材料从非晶态向晶态的有序转变，提升晶粒尺寸、致密度与晶面取···

04-01 2026 

在半导体薄膜沉积工艺中，温度是决定一切的基石。无论是物理气相沉积（PVD）、化学气相沉积（CVD），还是原子层沉积（ALD），温度均匀性都直接影响着薄膜质量、器件性能和生产良率。当晶圆表面的温度分布不均时，看似微小的温差可能引发一系列连锁反···

04-01 2026 

在半导体制造领域，外延生长是最为关键的工艺环节之一。无论是硅基半导体还是宽禁带半导体（如SiC、GaN、Ga₂O₃），外延层的质量直接决定了最终器件的性能和良率。而影响外延质量的核心因素之一，就是反应腔内的温度均匀性。 ···

03-28 2026 

摘要快速退火炉（RTP）通过快速升降温、精准控温、均匀温场及气氛保护等核心技术，有效解决了SiC器件制造中金属与半导体界面接触的关键工艺难题。相较于传统管式炉，RTP能够促进金属电极与SiC衬底形成高质量的欧姆接触与肖特基接触，显著降低接触···

03-19 2026 

2026年1月28日，武汉嘉仪通科技有限公司正式聘请国际知名物理学家和纳米技术专家王肇中教授担任公司首席战略科学家，将为公司技术突破与长远发展规划引领方向。左1嘉仪通科技总经理王愿兵，右1王肇中教授王肇中教授在物理学···

03-12 2026 

2026年3月11日，武汉嘉仪通科技有限公司举办了一场聚焦“新型存储器件与神经形态计算”的学术交流会，邀请到武汉理工大学余念念副教授和江汉大学陈子琪教授作专题报告。余念念副教授以《面向边缘AI的新型存储器件》为题，系统介绍了相变存储器（PC···

03-12 2026 

材料的硬度与弹性模量并非固定不变的常数，而是随环境温度剧烈波动的敏感参数。传统的常温纳米压痕测试无法反映“温度-力学性能”的对应关系。我们利用冷热台联用纳米压痕仪，通过“设定温度—执行压痕”可以揭示材料硬度与弹性模量随温度变化的深层机制，验···

03-11 2026 

随着半导体器件向高集成度、大尺寸和复杂封装方向发展，芯片在不同温度下的翘曲形变已成为影响其可靠性、良率及长期性能的核心指标。华为武汉研究所联用解决方案我们为华为武汉研究所设计了一种创新的冷热台联用白光干涉轮廓仪解决方案。该系统通过独特的多热···