行业资讯-快速退火炉_液氮低温恒温器_薄膜热电参数测试仪_霍尔效应测试系统_物性测量系统

07-23 2025 

碳化硅（SiC）作为第三代半导体材料的代表，凭借其高击穿场强、优异的热导率和耐高温性能，已成为功率电子、光电器件等领域的“明星材料”。氧化铝锌氧化物（AlZnO）薄膜的镀层技术提供了一个提升SiC器件性能的新思路！AlZnO镀层：SiC性能···

07-17 2025 

一、晶圆退火工艺基本概念定义‌：退火工艺，又称热退火（Thermal Annealing），是将晶圆放置在较高温度环境中一定的时间，以改变其微观结构，达到特定工艺目的的过程。关键参数‌：温度和时间是退火工艺中的两个关键参数，温度越高、时间越···

07-10 2025 

氧化镓（Ga₂O₃）作为新兴的宽带隙半导体材料，凭借其超高的击穿电场强度、优异的耐高温性能以及出色的紫外光响应特性，正成为高功率电子器件、深紫外光电器件等领域的研发热点。精准测试其电学特性（如载流子浓度、迁移率、电阻率等），也是材料研究与器···

07-04 2025 

氮化镓（GaN）是一种性能优异的宽禁带半导体材料，因其高电子迁移率、高击穿电压和良好的高温稳定性，被广泛应用于LED、电力电子、射频通信和生物传感器等领域。为了深入研究和优化GaN材料的电学性能，霍尔效应测试仪HET成为不可或缺的工具。&n···

06-24 2025 

首先说结论，RTP（Rapid Thermal Processing）是所有快速热处理的统称！但不限于：RTA（快速热退火）、RTO（快速热氧化）、 RTN（快速热氮化）、合金化... ...RTP与RTA、RTO、RTN之间的联系RTP设···

06-19 2025 

在集成电路制造过程中，氧化工艺是形成高质量二氧化硅（SiO₂）薄膜的关键步骤。随着技术的不断发展，对氧化层的均匀性、致密度和表面质量的要求日益提高。快速退火炉（RTP）作为一种高效的快速热处理技术，在集成电路制造氧化工艺中发挥着重要作用。&···

06-12 2025 

磁性材料或易受磁场影响的材料或器件，需要处于零磁场中测试。嘉仪通冷热台可利用磁屏蔽材料实现无磁场干扰下，进行不同温度的电性能测试。磁场屏蔽方案介绍零磁场环境：真空腔体喷涂地磁屏蔽涂料或者使用坡莫合金，实现零磁场屏蔽环境；低温变温···

05-28 2025 

在MOCVD工艺中，外延薄膜的生长速率与温度存在高度非线性关系，且温度波动会直接影响薄膜的均匀性和结晶质量。根据温度的变化可以将外延薄膜生长行为大致分成三个区：动力学控制区、质量传输控制区、热力学控制区： ···

05-21 2025 

2025年5月15日-17日，由浙江大学材料科学与工程学院主办的第七届材料微结构与性能学术会议在杭州黄龙饭店隆重举行。作为材料科学领域的高规格学术盛会，本次会议有包括张泽院士、杨德仁教授等众多海内外权威专家参会，共同探讨材料显微结构、电池催···

05-15 2025 

温度均匀性在光刻工艺中的烘烤固化过程中至关重要，它直接影响光刻胶的固化质量和最终的图案质量。温度曲线控制对图案质量的影响在光刻胶PI固化过程中，不同类型的光刻胶PI具有特定的固化温度曲线，一般烤箱可预设温度曲线，而不是不是线性加热，精确控制···