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霍尔效应测试系统(HET)

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霍尔效应测试系统(HET)

产品名称

霍尔效应测试系统(HET)

霍尔效应测试系统依据范德堡法测量材料的电运输性能参数:载流子浓度、迁移率、电阻率、霍尔系数等,薄膜或薄层材料均可测量,可应用于所有半导体材料,包括Si、ZnO、SiGe、SiC,GaAs,InGaAs,InP,GaN(N型&P型均可测量),广泛应用于国内高校、研究所、半导体、金属、高热导有机新材料等行业。
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霍尔效应测试系统产品特点

 

自主知识产权产品。

采用高精密度恒流源和电压表,确保仪器测试的良好准确度和高稳定性,性能优越。

自动控制磁场方向的改变,更加方便准确。

样品装夹方式快速方便,且使用能够解决欧姆接触的样品芯片。

产品工业外观采用一体化、精密化设计,融入人性化的设计理念,不仅赏心悦目而且操作方便。

智能化的用户界面操作简单,功能齐全的软件平台带给客户友好的操作体验,使测试过程更加方便快捷。

 

 

霍尔效应测试系统测试实例

 

山东大学钛酸锶陶瓷样品测试结果

 
 
 
 

太原理工硅化镁样品测试结果

 
 
 
 
 
 
 

霍尔效应测试系统技术参数

 

型号

HET-RT

HET-HT

磁场强度

6800Gs

5000Gs

磁场稳定性

±2%/每年

温度范围

RT

100K~600K(可连续变温)

温控精度

\

±0.5K

输出电流

100pA-100mA

迁移率

1-107cm²/Volt-sec

阻抗

10-6 -107Ω·CM

载流子浓度

107 -1021cm-3

样品测量板

样品边长5-20mm,厚度10nm-3mm

样品边长5-15mm,厚度10nm-1mm

主机尺寸

570x545x380,单位mm

\

重量

50kg

80kg

 

 

霍尔效应测试系统技术原理

  采用范德堡法测量材料的霍尔系数和电阻率。范德堡法可测量任意形状、厚度(d)均匀的薄片样品的霍尔系数和电阻率,样品和四个电极联接,相邻的电极通入电流,在另一对电极之间测量电位差,利用电极1、2和2、3通入电流分别做两次测量,测得电阻RA和RB,然后根据范德堡公式推导出样品的电阻率ρ和R构成如下关系:

 

  在垂直样品的磁场(感应强度B)作用下,电流通过样品的一对不相邻电极,如由电极1到电极3,测得电极2、4之间的电位差V2,4 (VH),可计算出霍尔系数。

 

 

 

暂未实现,敬请期待
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