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薄膜热电参数测试系统(MRS)

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薄膜热电参数测试系统(MRS)

产品名称

薄膜热电参数测试系统(MRS)

薄膜热电参数测试系统是专门针对薄膜材料的Seebeck系数和电阻率测量,测温范围达到81K~700K,采用动态法测量Seebeck系数,避免了静态测量在温差测量上的系统误差,测量更准确。
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薄膜热电参数测试系统产品特点

 

专门针对薄膜材料的Seebeck系数和电阻率测量。

测试环境温度范围达到81K~700K。

采用动态法测量Seebeck系数,避免了静态测量在温差测量上的系统误差,测量更准确。

采用四线法测量电阻率。

热电偶探针经过严格的筛选配对保证测试结果的准确和稳定。

软件操作简单,智能化可实现全自动模式。

 
 
 

薄膜热电参数测试系统测试实例

标准镍带测试结果
 

 
 

东华大学MoS2测试结果

 

 
 

MRS-3对Bi2Te3薄膜测试结果(中国科学院电工研究所提供样品)

 
 
 
 

MRS-3对Bi2Te3薄膜测试结果(中国科学院电工研究所提供样品)

 
 
 
 
 
 
 
 

薄膜热电参数测试系统技术参数

 

型号

MRS-3

MRS-3RT

环境温度

81K~700K

RT

温控方式

PID程序控制

\

真空度

≤ 1Pa

\

测试气氛

真空

 空气

测量范围

贝克系数:S ≥ 8µV/K; 电阻率:0.1µΩ•m ~ 1000KµΩ•m

分辨率

贝克系数:0.05µV/K; 电阻率:0.05µΩ•m

相对误差

贝克系数 ≤ 7%,电阻率 ≤ 5%

测量模式

自动

样品尺寸

长 x 宽:(10~18)x(4~14)mm2,薄膜厚度≥50nm

主机尺寸

采集箱:470x400x140,单位mm
变温装置:直径x高 460x800mm

170x250x220,单位mm

重量

31.9kg

3.5kg

 

 

薄膜热电参数测试系统样品要求

样品满足上述样品尺寸,待测面需平整,薄膜均匀性好,保证与铜片接触良好

薄膜材料厚度最低可至100nm,其均匀性有较高要求,薄膜厚度达到微米级别较好

薄膜材料的衬底需选择电阻率较大或绝缘材料为宜,如玻璃、Si等材料

 

薄膜热电参数测试系统技术原理

  动态法:测量Seebeck系数

  在待测温场下给样品两端加一个连续变化的微小温差,通过记录样品两端温差和热电势的变化,然后将温差和热电势拟合成一条直线,直线斜率即为该材料在该温场下的Seebeck系数。

  采用四线法测量电阻率。

 

 

暂未实现,敬请期待
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