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6吋快速退火炉(RTP-3-06系列)

快速退火炉RTP-3-06系列采用红外辐射加热技术,可实现大尺寸样品(6英寸)快速升温和降温,可用于快速热处理(RTP)、快速热退火(RTA)、快速热氧化(RTO)、快速热氮化(RTN)及金属合金化等半导体工艺。
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产品技术参数

设备型号

RTP-3-06系列

最高温度

1000℃
最大升温速率 100℃/s(配置SIC涂层石墨托盘为20℃/s)
控温精度 ±1℃
温度均匀性 ±1.5%(含SIC涂层石墨托盘)
最大降温速率

1000℃→400℃:

双石墨盘200℃/min

400℃→100℃:

双石墨盘10℃/min

最大样品尺寸 6英寸(直径150mm)
主机尺寸 755mm*1140mm*1770mm

 

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产品特点
  • 可测大尺寸样品:可测单晶片样品的尺寸为6英寸(150mm)。
  • 压力控制系统创新设计:高精度控制压力,以满足不同的工艺要求。
  • 存储热处理工艺:方便工艺参数调取,提高实验效率,数据可查询。
  • 快速升温:最高升温速率可达100℃/s。
  • 程序设定与气路扩展:可实现不同温度段的精确控制,进行降温段的自动转接,并能够对工艺菜单进行保存,方便调用。采用MFC精确控制气体流量,最多可支持4路气体,实现不同气氛环境(真空、惰性气氛、氧气、氢气、混合气等)下的热处理。
  • 全自动智能控制:采用全自动智能控制,包括温度、时间、气体流量、真空、冷却水等均可实现自动控制。
  • 超高安全系数:采用炉门安全温度开启保护、温控器开启权限保护以及设备急停安全保护三重安全措施,全方位保障设备使用安全。
  • 分区控温:分区域控制加热功率,提高温度均匀性。

应用功能

  • 快速热处理(Rapid Thermal Processing, RTP);
  • 快速热退火 (Rapid Thermal Annealing, RTA);
  • 快速热氧化 (Rapid Thermal Oxidation, RTO);​​
  • 快速热氮化 (Rapid Thermal Nitridation, RTN);
  • 硅化 (Silicidation);
  • 扩散 (Diffusion);
  • 化合物半导体退火 (Compound Semiconductor Annealing);
  • 离子注入后退火 (Implant Annealing);
  • 电极合金化 (Contact Alloying);
  • 晶体化和致密化 (Crystallization and Densification);
  • 合金熔点分析;
  • 薄膜沉积;
  • 太阳能电池片键合;
  • ……
Keyword:
快速退火炉
嘉仪通科技
真空热处理设备
真空退火

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