中文 | ENG  

联系热线:027-86645269

>
>
红外退火炉 (IRLA)

电话:027-86645269
邮箱:
service@jouleyacht.net
地址:武汉市东湖开发区高新大道999号未来科技城
           C4栋11层

 

武汉嘉仪通科技有限公司 版权所有       网站制作: 中企动力  武汉     鄂ICP备13008735号

关注我们

产品中心

红外退火炉 (IRLA)

产品名称

红外退火炉 (IRLA)

红外退火炉采用红外辐射加热技术同时搭配高精度温度控制系统,极大程度上改善了电阻式加热的弊病,同时可实现样品快速升温和退火。可广泛应用于强诱导体薄膜的结晶化退火、注入离子后的扩散退火、半导体材料的烧成与退火条件研究、快速热退火、热氧化和热氮化、电极合金化、碳纳米管等外延生长、单晶基板热处理等功能中,对新材料相关的RTP研究工作起到重要作用。
我要询价
产品特点及应用
产品技术资料
 
未找到相应参数组,请于后台属性模板中添加

红外退火炉产品特点

 

采用国外知名品牌部件:循环水路设计,带过滤部件,延长清洗炉体水路;红外灯管寿命高达5000小时,峰值波长约为1.25微米,炉体工艺镜面抛光。

高精度控温:模糊逻辑PID控温,控温精度可达±0.1℃。

快速控温:高能流密度红外灯设计,24秒内仪器可快速升温至1150℃;同时,炉体的热容小,配合先进的冷却系统,可实现快速降温。

异常报警保护:超温和流量异常时均会自动切断加热,保护炉膛,达到报警的效果。

洁净控温:非电阻炉加热,无绝热保温材料,更适合在洁净环境中使用。

可扩展性:带观察窗,可配CCD,采集光学信号;预留接口,可加载电学测量模块等。

 

 

红外退火炉应用功能

强诱导体薄膜的结晶化退火

注入离子后的扩散退火

半导体材料的烧成与退火条件研究

快速热退火、热氧化和热氮化

电极合金化

晶向化和坚化

石墨烯等气相沉积

碳纳米管等外延生长

单晶基板热处理

 
 
 

温升曲线图(1150℃)

红外退火炉技术参数

 

型号

IRLA-1200

温度范围

RT~1150℃

温控精度

±0.1℃

最大升温速率

45℃/s (真空),40℃/s (氮气)

测试气氛

真空, N2 ,惰性气体

最大样品尺寸

20 x 20 x 2,单位mm(最大)

处理材料类型

薄膜、粉体、块体、液体

温度传感器

标准K型热电偶

额定功率

4x(1KW-110V/根)

温度程序模式

温度-时间设置,最高256步,32个程序,循环、保温等功能模糊PID逻辑控温,手动/自动开始,USB485连接

外观尺寸

420X320X220,单位mm

重量

20.5kg

 

暂未实现,敬请期待
暂未实现,敬请期待
上一篇
下一篇